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【存储器】看好今年DRAM市场前景,南亚科将加速开发10 纳米制程与DDR5

来源:全球半导体观察整理       

4月25日消息,据钜亨网报道,南亚科看好今年DRAM市场前景,将加速开发10 纳米制程技术与DDR5 产品,同时规划新厂扩建。

南亚科表示,今年来自智能手机、服务器\数据中心的需求将稳定成长,而供给端的增长幅度有限,综合来看,需求的成长将超过供应端,看好整体产业健康发展。

南亚科董事长吴嘉昭指出,今年预期DRAM 市场售价止跌回升,整体产业可望走出谷底,并迈向成长。南亚科将投入更多的研发资源,加速开发10 纳米级制程技术与DDR5 产品,同时规划新厂扩建,未来将以符合市场需求为目标,逐步增加产出。

对于今年营运计划,南亚科表示,1A 制程试产线已完成建置,今年将持续致力产品试产及良率提升,前导产品8Gb DDR4 预计下半年开始送样认证及小量生产;第二颗为下世代DDR5,正在设计开发,预计下半年开始试产。今年也将同步加速1B 制程技术及产品开发时程,预计第三季开始试产首颗产品。 

除10 纳米级产品线外,南亚科也将持续优化20纳米产品组合,除增加DDR4 最高规格3200Mbps 在服务器及PC OEM 客户认证,提升销售量外,也将加速20 纳米低功率产品推广。LPDDR4X 4267Mbps 最高规格产品正认证中,未来目标市场包括便携型产品、汽车及工业等应用。 

此前报道,南亚科已规划建设一座双层无尘室12寸先进晶圆厂,将采用南亚科自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片,及规划建置EUV极紫外光生产技术,月产能约为45,000片晶圆。新厂计划于2021年底动工,2023年底完工,2024年开始第一阶段量产

上述报道称,为应对1A制程技术的量产、新厂房兴建及一般部门资本支出,南亚科今年资本支出上限预计为新台币156亿元。

封面图片来源:拍信网