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【存储器】质疑对手技术进展真实性,三星将公开10纳米级制程DRAM电路线宽

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

5月7日消息,由于质疑竞争对手的技术进展,三星决定公开自家DRAM产品的电路线宽,以显示三星在该领域的技术领先地位。据韩媒 BusinessKorea 报导,三星准备打破DRAM业界传统,将公布自家DRAM产品电路线宽。

上述报导指出,DRAM 电路线宽被业界认定为衡量存储器公司技术能力的重要指标,DRAM的电路线宽越窄,其功率效率就越高。 因此,过去DRAM业界的传统就是不明确公开相关产品的确切电路线宽。 

并且,随着DRAM制程技术在2016年进入10纳米级制程后,DRAM制造商也普遍达成共识,通过不公开相关参数来避免过度竞争。 原因主要在于进入到10纳米级制程后,电路线宽每缩小1纳米,需要2到3年的研发投入,如此长的研发时间意味着以技术议题为营销卖点的意义并不大。

基于以上因素,在过去的5到6年间,全球DRAM厂商事实上从未确实的发表过DRAM产品的电路线宽数字。 这也是DRAM产业普遍将2016年推出的10纳米级制程归类为第一代1x纳米制程,将2018年推出的10纳米级制程归类为第二代1y纳米制程,以及在同一年推出的10纳米级制程归类为第三代1z纳米制程,之后于2021年初问世的第四代10纳米级制程,将其称之为1a纳米制程。

报导强调,就因为DRAM厂商普遍将10纳米级制程以1x纳米制程、1y纳米制程、1z纳米制程等来称呼,所以很难确切比较如三星的1z纳米制程DRAM和美光的1z纳米制程DRAM在电路线宽上的差异。为此,三星决定放弃传统的模糊化表述,预计将公布旗下各 10 纳米级制程 DRAM 产品电路线宽。除了揭示三星对自身制程技术的信心外,这似乎也预示着这一领域的技术竞争将再次激烈化。

三星表示,将在2021年下半年量产1a纳米制程DRAM,该产品的电路线宽为14纳米。 事实上,三星是全球第一家在 2016 年初开始量产第一代 1x 纳米制程 DRAM 的公司,量产时间领先SK 海力士和美光大约半年到1年。 到了2019年开发出1z纳米制程DRAM前,即使三星没有公布其DRAM电路线宽,却也无人否认三星在DRAM产业中处于技术领先地位。

领先局面在第四代1a纳米制程DRAM产品上被打破。 全球第三大DRAM制造商美光在2021年1月宣布,已开发出全球首个1a纳米制程DRAM,且已投入量产,这使得美光在技术上一口气超越了此前的龙头三星。 面对这一情况,三星主管DRAM的DS业务高层表示了忧心与不满,他认为三星过去生产的1x、1y和1z纳米制程DRAM的性能远远优于竞争对手,如今在技术上被超越是很大的冲击,并且对美光宣称的1a纳米制程DRAM的实际情况表示怀疑。

报导强调,三星不仅怀疑美光夸大其1a纳米制程DRAM的效能,而且,由于至今未看到美光发表相关产品的照片,也质疑其1a纳米制程DRAM是否已真的可进行大规模量产。 因此,三星决定明确公布其下各代10纳米级制程DRAM的电路线宽数字。

封面图片来源:拍信网