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【存储器】牵手国家大基金二期 合肥沛顿存储一期项目封顶!

来源:全球半导体观察整理       

据深科技官方消息,6月26日,合肥沛顿存储科技有限公司一期项目正式封顶。深科技表示,这标志着深科技在存储半导体产业全球布局中成功再落一子,在提升公司核心竞争力并促进我国存储器产业链发展的道路上迈出了坚实的一步。

图片来源:深科技

深科技在与合肥市政府达成投资协议后,与国家大基金二期、合肥产投、中电聚芯于2020年10月30日注册成立了合肥沛顿存储科技有限公司,在各方的共同努力下,项目在不到4个月的时间里,取得了一期项目顺利封顶的阶段性成果。

据悉,合肥沛顿存储项目占地面积约178亩,一次性规划,分期建设,于2021年3月启动建设,按照建设规划,项目将于今年9月底完成全部建设任务,10月初进驻生产设备,力争于今年年底实现投产并形成有效产能。

该项目达产后,预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗,年封装NAND FLASH 3840万颗,年产内存模组3000万条的生产能力,预计可实现年营收28亿元左右。

根据深科技此前公告,该项目非公开发行募资,共24名投资者参与询价申购,累计认购量21.08亿元,认购倍数达1.43倍。受发行股数总量限制,最终17名投资者成功“抢筹”,募集资金总额14.74亿元。

深科技董事长周剑在致辞中表示,本项目建成后,将极大完善我国存储器产业链,对国际巨头形成有力的竞争,打破我国存储器领域对进口产品的依赖。本项目将围绕国家战略需要,积极承接国家存储器战略项目的封装测试业务,推动我国存储器产业重点突破和整体提升,实现跨越发展,为经济发展方式转变、综合国力提升提供有力支撑。

深科技成立于1985年,是全球领先的电子产品制造服务(EMS)专业提供商,产品主要应用于计算机、网络通讯消费电子、智能移 动终端、工业自动化控制、汽车电子等电子整机和智能领域。目前,深科技形成聚焦发展半导体封测及模组、高端制造、自有品牌(以计量产品为主)三大产业领域的发展模式。

5月20日,深科技在接受调研时透露,在半导体封测方面,深科技8Gb/16Gb DDR4已于2019年通过了国内外多个大客户的验证正式交付,目前公司在存储封测17nm量产基础上,持续推进更精密10nm级DRAM产品的技术迭代,不断向全球DRAM市场的主流工艺节点技术进行突破。

深科技目前的封测技术能够覆盖主流存储器产品,并具备LPDDR3、LPDDR4和固态硬盘SSD的量产能力,同时不断推动DDR5、LPDDR5等新产品的技术开发,且具备最新一代DRAM产品的封测能力。

封面图片来源:深科技