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【存储器】追加50亿美元投资?传三星西安二期项目有望年内完工

来源:全球半导体观察       

8月5日,据韩媒消息,三星西安NAND Flash工厂二期有望于今年底完工并开始投产。据悉,三星今年上半年已向西安工厂投资35.6亿美元,将在全面投产前完成设备安装。

西安工厂是三星电子唯一的海外NAND Flash工厂,报道称,三星正在考虑扩大对西安工厂的投资,投资金额从最初计划的150亿美元增加至200亿美元左右。待三星西安二期工厂建成以后,产能预计会达到每月13万片晶圆。如果加上一期工厂的数据,月产能将高达25万片晶圆。

资料显示,三星高端存储芯片二期第一阶段项目投资约70亿美元,于2020年3月产品正式下线上市。2019年12月,三星高端存储芯片二期第二阶段项目正式启动,总投资80亿美元。

据微信公众号“陕视新闻”今年6月报道,三星(中国)半导体有限公司董事长黄河燮表示,作为陕西省重点建设项目,三星高端存储芯片二期进展顺利,目前正处于最终的设备安装调试阶段,预计今年下半年开始量产。在三星高端存储芯片一期项目及封装测试项目投资110亿美元的基础上,三星又追加投资150亿美元建设存储芯片二期项目,已经累计投资达到260亿美元。

封面图片来源:拍信网