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【存储器】三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM

来源:全球半导体观察整理       

10月12日,三星电子宣布开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14纳米(nm)DRAM。继2020年3月推出首款EUV DRAM后,三星电子又将EUV层数增加至5层,为其DDR5解决方案提供更为优质、先进的DRAM工艺。

图片来源:三星电子官网截图

据介绍,三星电子5层EUV工艺14纳米DRAM具有业界最高的晶圆密度,与上一代相比,整体晶圆生产率提高了约20%。此外,三星电子14纳米DRAM产品的功耗相比上一代DRAM工艺降低了约20%。

图片来源:三星电子官网

三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外,三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb,以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。

封面图片来源:拍信网