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【存储器】科学家:UltraRAM技术可整合内存与闪存,耐用性极高

来源:全球闪存市场       

1月12日,据外媒TECHSPOT报道,本月早些时候,英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文,详细介绍了UltraRAM近期取得的重要进展。

TECHSPOT报道显示,UltraRAM是一种存储器技术,它是将非易失闪存 NAND、易失性内存 RAM 结合在一起,兼顾能效,具有极高的耐用性。

据了解,此前英特尔Optane 傲腾已尝试弥合DRAM和闪存存储之间的差距,并量产了傲腾内存产品,但仍不足以完全替代 RAM。而三星具备Z-NAND技术,铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中。

报道称,用于UltraRAM的制造工艺与光电器件(如LED,激光器,光电二极管和光电晶体管)中使用的半导体元件相似。从结构上看,这种存储技术采用硅衬底,相比砷化镓成本大幅降低。这意味着UltraRAM有可能成为一种经济高效的存储器解决方案。科学家表示,他们测试过的原型设备可以提供1000年的数据保留和超过1000万次编程/擦除循环的"无退化耐久性"。

报道指出,UltraRAM采用“共振隧穿”量子力学效应,在施加电压时,将势垒从不透明切换到透明。相比于RAM和NAND存储中使用的写入技术,UltraRAM 的写入过程更加节能,因此有助于提高移动设备的续航时间。

根据报道,兰卡斯特大学的研究人员表示,他们需要进一步改进存储单元的制造工艺,提高存储密度。这项技术具有很大的潜力,可消除在处理器、内存和设备的非易失性存储之间来回传输数据的过程。

封面图片来源:拍信网