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【存储器】三星新目标:6月前开发出第六代11nm 1c DRAM芯片

来源:全球半导体观察       

近日,韩国媒体《BusinessKorea》报导,全球最大存储器制造商韩国三星设定了目标,预计在今年6月前,完成11纳米的第六代1c DRAM芯片的开发。

报道称,三星已通知半导体研究人员,决定跳过或放弃12纳米的第五代1b DRAM开发,之后将立即加速开发1c DRAM产品。

市场认为三星此举是为了扩大与SK海力士和美光科技等竞争对手的技术差距。

这并非三星第一次决定跳过DRAM开发节点,挑战更高技术。此前三星曾放弃28纳米DRAM量产,转向25纳米DRAM产品开发。

分析人士表示,三星生产11纳米DRAM并不是一件容易的事,必须有比过去更先进的技术才能达成。

封面图片来源:拍信网