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【存储器】这家国产存储大厂第四代TLC 3D NAND正式发布,供应链:232层

来源:全球半导体观察整理       

8月3日,长江存储正式发布了基于晶栈®(Xtacking)3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。

据官方介绍,X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高质量可靠性。相比长江存储上一代产品,X3-9070拥有更高的存储密度,更快的I/O速度,并采用6-plane设计,性能提升的同时功耗更低,进一步释放系统级产品潜能。


△图片来源:长江存储

性能方面,X3-9070实现高达2400MT/s的I/O传输速率,符合ONFI5.0规范,较上一代产品实现了50%的性能提升;密度方面,X3-9070是长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品,能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量。

此外,得益于6-plane设计,X3-9070相比传统4-plane,功耗降低25%,能效比显著提升。

长江存储晶栈®技术于2018年问世,目前已成为长江存储助推闪存行业发展的关键动力之一。随着长江存储晶栈®3.0的推出,新一代X3系列闪存产品将为大数据、5G、智能物联(AloT)及其他领域的多样化应用带来新的机遇。

长江存储执行副总裁陈轶表示,面对蓬勃发展的5G、云计算、物联网、自动驾驶、人工智能等新技术带来的全新需求和挑战,长江存储将以晶栈®为基点,不断开发更多高品质闪存产品,协同上下游存储合作伙伴,为存储产业赋能。

有媒体报道称,根据供应链消息,此次长江存储发布的新品堆叠层数已达到232层,达到业界领先水平。

无独有偶,就在几天前,美光抢先宣布已开始在新加坡工厂量产全球首款232层NAND闪存,而SK海力士也在今日宣布已向客户发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。

需要指出的是,三星、铠侠、以及西数也在发力200层以上NAND闪存。例如,有消息称三星或将在今年底或2023年上半年开始量产供应224层3D NAND,西数则在此前表示,将与合作伙伴铠侠在2032年之前陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

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