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三星推出第8代V-NAND(512Gb),设想到2030年堆叠超过1000层

来源:全球半导体观察整理       

近日,三星电子在美国加州硅谷举办2022年三星科技日,会上三星首次推出了其第8代V-NAND(512Gb),位密度提高了42%,在迄今为止的512Gb三级单元(TLC)内存产品中达到了业界最高的位密度。该公司表示,全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。

NAND方面,目前,三星电子正在量产第7代Vertical NAND(V-NAND)闪存,其第九代V-NAND正在开发中,并计划从2024年开始量产第9代NAND闪存,到2030年,公司设想堆叠超过1000层,以更好地支持未来的数据密集型技术。

DRAM方面,三星电子正在量产第4代10nm级DRAM,而目前1b DRAM正在开发中,并计划从2023年开始量产第5代10nm级(1b)DRAM。为了克服DRAM扩展到10nm范围以外的挑战,该公司一直在开发图案、材料和架构方面的颠覆性解决方案,高K材料等技术正在顺利进行中。

封面图片来源:拍信网