来源:全球半导体观察
2022年存储产业迈入下行周期:高通货膨胀因素影响下,手机、PC等消费电子需求持续疲软,消费类存储芯片价格跌幅不断扩大,厂商库存高企;第四季度,随着疫情“宅经济”影响逐渐淡去,原本强劲发展的数据中心、服务器也面临隐忧,市场需求出现转弱、降温的迹象。
由于行业需求持续走弱,库存不断攀升,价格持续下滑,存储产业营收出现下跌,产业发展进入新一轮调整时期,存储大厂采取保守策略,相继宣布减产、缩减资本支出以应对市场“寒冬”。美光预计2023财年资本支出为80亿美元,同比下滑33%。铠侠旗下位于日本的两座NAND闪存工厂从10月开始晶圆生产量将减少约30%。SK海力士决定将明年的投资规模从今年预计的15万亿韩元至20万亿韩元减少到50%以上的标准。
不过,在先进技术上,存储厂商始终“激进”投入:DRAM方面,美光第五代10nm级别DRAM产品(1β DRAM)已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。三星则计划于2023年进入第五代10nm级别DRAM(1bnm)阶段。NAND Flash领域,美光全球首款232层NAND产品已在美光新加坡工厂量产,SK海力士238层512Gb TLC 4D NAND闪存,则计划在2023年上半年正式投入量产。
展望2023年,存储市场需求是否将会反弹?存储先进技术将如何演变?产业发展又将面临哪些新的挑战与机遇?
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