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存储器大厂拟17.3亿元新台币扩建高雄厂

来源:全球闪存市场    原作者:Vinny    

据中国台湾媒体《工商时报》报道,华邦电董事会于8月3日核准17.3亿元新台币资本支出预算案,将用在高雄厂扩建上,8月起陆续投资。

据华邦电经营层在第一季法说会上表示,预估2023年资本支出为121亿元新台币,年减70.34%,大部分用于高雄厂建厂及提升制程品质、新制程研发等支出。

华邦电规划,高雄路竹厂20nm产品可望于2023年第四季量产,预期2023年底到2024年第一季时,高雄厂月产能可达1.4万片。

法人指出,华邦电高雄厂全部是25Snm,主要产品为DDR3 2G和DDR3 4G。新制程DRAM 20nm和Nor Flash 45nm,近期开始投产,并交给客户测试。新产品从投片、验证至营收贡献,估计要4~6个月。

今年5月初,华邦电总经理陈沛铭曾表示,PC厂调整库存已经到达健康水平情况,许多商用PC及消费电子回补库存的急单涌入。预期华邦电的营运在2023年的第一季达到谷底,第二季营运将有机会调升。因此,公司台中厂第二季产能利用率将较第一季提升10个百分点,之后维持每季成长的趋势。

华邦电子透露,消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温,工控相关接单也持续发烫,客户急单涌入,而且“量也不少”,将对公司营收有所助力。

当前整体存储器市场仍处于待复苏阶段。据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询7月最新研究显示,预估第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3~8%,第四季有望止跌回升;预期第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。

封面图片来源:拍信网