来源:全球半导体观察整理
据行业媒体消息,为了克服低迷的存储器市场状况,三星电子计划停止其位于韩国平泽市P1工厂的部分NAND闪存生产设备。
据ZDNet Korea报道,业内人士透露,三星目前正在考虑停止P1工厂NAND Flash生产线部分设备的生产。该生产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。据悉,该设备将停产至少一个月,但可能会延长至2023年下半年。
目前,三星已经减少了主要NAND Flash生产基地的晶圆投入,包括韩国平泽、华城以及中国西安。业界猜测三星的NAND Flash产量可能会减少10%左右。不过,鉴于市场持续低迷,三星在4月份发布的2023年Q1财报中正式宣布存储器减产计划。此外,三星在发布第Q2财报时表示,2023年下半年将重点削减NAND Flash领域的产量。
值得注意的是,第6代128层V-NAND系列工艺相对成熟,成为减产目标。目前,三星的主要销售来自第7代和第8代V-NAND产品,分别为176层和236层。
值得注意的是,半导体公司通常采用在减产期间保持设备运行而不生产晶圆的方法。这主要是因为如果设备完全关闭,重新启动期间重新建立工艺、达到产量需要额外的时间和金钱投资。不过,三星正在考虑停止设备运转,不仅是为了增强减产效果,也是为了削减成本。
据报道,包括半导体在内的三星设备解决方案(DS)部门仅在2023年上半年就累计亏损8.94万亿韩元(约合67.2亿美元)。因此,“降低成本”成为三星存储业务目标管理(MBO)目标的重点之一。
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