来源:全球闪存市场
据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露,三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是三星电子减少库存较多的128层NAND闪存的产量,专注于尖端产品的策略。
据此前报道,三星已制定生产计划,目标年底NAND库存正常化,即6-8周。其晶圆投入量将较上半年减少10%,目前该公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND(V6),该产品库存较多。
虽然具体规模尚未确认,但据悉三星电子将改变平泽的许多P1NAND生产线。多位熟悉三星情况的业内人士表示,“据了解,转产政策已经确定,工作已经开始”。
P1工厂是三星电子的核心生产基地,其产能为每月10万片DRAM和19万片NAND基于12英寸(300毫米)晶圆。
据称,三星正试图减少产品产量,并将生产转移到目前商用产品中最先进的236层NAND。由于半导体工艺转换需要相当长的时间,设备更换期间的减产效果显著,意味着可以快速减少128层NAND的库存。
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