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传三星预计2026年量产新一代HBM4

来源:全球闪存市场    原作者:Vinny    

据韩媒报道,三星为了掌握快速成长的HBM市场,将大幅革新新一代产品制程技术,预计2026年量产新一代HBM产品,HBM4。

从2013年第一代HBM到即将推出的第五代HBM3E,I/O接口数为每颗芯片1024个,拥有超过2000个以上I/O接口的HBM尚未问世。

以HBM不同世代需求比重而言,据TrendForce集邦咨询表示,2023年主流需求自HBM2e转往HBM3,需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量,2024年市场需求将大幅转往HBM3,而2024年将直接超越HBM2e,比重预估达60%,且受惠于其更高的平均销售单价(ASP),将带动明年HBM营收显著成长。

观察HBM供需变化,TrendForce集邦咨询指出,2022年供给无虞,2023年受到AI需求突爆式增长导致客户的预先加单,即便原厂扩大产能但仍无法完全满足客户需求。

展望2024年,TrendForce集邦咨询认为,基于各原厂积极扩产的策略,HBM供需比(Sufficiency Ratio)有望获改善,预估将从2023年的-2.4%,转为0.6%。

封面图片来源:拍信网