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1γ DRAM、321层NAND!存储大厂先进技术竞赛仍在继续

来源:全球半导体观察       

尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响,存储产业身处下行周期,但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。

对DRAM芯片而言,先进制程意味着高能效与高容量,以及更好的终端使用体验。当前,DRAM先进制程工艺——10nm级别目前来到了第五代,美光称之为1β DRAM,三星称之为1b DRAM。

美光去年10月开始量产1β DRAM之后,计划于2025年量产1γ DRAM,这将是美光第1代采用极紫外光(EUV)的制程技术,目前在美光只在台中有EUV的制造工厂,因此1γ制程势必会先在台中厂量产,未来日本厂也有望导入EUV设备。三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段,芯片容量将达到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB),原生速度将在6.4-7.2Gbp。

NAND Flash领域,目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关,存储厂商正持续发力更高层数。8月9日SK海力士便在2023闪存峰会(Flash Memory Summit 2023)上,首次展示了全球首款321层NAND闪存样品,效率比上一代238层512Gb提高了59%。SK海力士表示将进一步完善321层NAND闪存,并计划于2025年上半期开始量产。

除此之外,美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品;铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术;三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280层),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层),2030年前实现1000层NAND Flash。

展望未来,存储技术又将有哪些突破?存储大厂将有何新的技术布局?2023年11月8日,TrendForce集邦咨询将在深圳举办2024存储产业趋势研讨会 ( Memory Trend Seminar 2024)。

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封面图片来源:拍信网