来源:全球半导体观察整理 原作者:Flora
AI时代对高性能、大容量存储技术提出了更高要求,为此,原厂积极推动下一代存储器技术研发。
最新消息显示,三星计划本月下旬在“NRD-K”项目上引进设备,以加速包括1d DRAM和V11、V12 NAND在内的下一代存储技术发展。
据悉,NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研发综合体,尖端半导体工艺的研究、生产和分销均在此进行。尖端技术方面,三星1d DRAM将采用新型结构设计和封装技术,使其在性能和能耗上获得了显著提升;V11和V12 NAND则将在存储密度和能效比方面带来了新的突破,以上三项技术均适用于数据中心以及高性能计算等领域。
当前DRAM先进制程工艺正不断朝10nm级别靠近,美光最新工艺为1γ DRAM,该公司已在位于日本广岛的Fab15工厂利用EUV试产1γ DRAM,并计划于2025年大规模量产。三星最新工艺为1c DRAM,计划于2024年年底前建成相关产线,2025年生产。1d DRAM是三星下一代DRAM技术,1d DRAM能够支持更高的带宽,使得数据传输更加高效,有助于提升整体系统的性能。
NAND方面,原厂注重层数突破,目前正式商用的闪存产品层数已经突破200层,原厂致力于向1000层迈进。三星在2024年开始量产堆叠层数达290层的第九代3D NAND技术,并在未来几年内进一步提高堆叠层数和性能,其中就包括了上文提及的V11和V12 NAND。
美光在2022年成功量产了232层3D NAND芯片,未来还将发力更高层数。
铠侠已经成功实现了200层以上的NAND堆叠,按照其3D NAND闪存发展蓝图,铠侠预计到2027年实现1000层堆叠的目标。
2024年11月20日(周三),MTS2025存储产业趋势峰会将在深圳鹏瑞莱佛士酒店盛大举行。
届时,集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷和研究经理敖国锋将分别针对2025年内闪存产业发展趋势进行主题演讲,敬请期待!
封面图片来源:拍信网