来源:全球半导体观察整理 原作者:Emma
据东风汽车官方消息,东风旗下智新半导体碳化硅功率模块项目将于2023年实现量产装车。
同时,东风汽车与中国信科共建的汽车芯片联合实验室,正在推进车规级MCU芯片在汉落地,预计2024年实现量产;与中芯国际合作,已完成设计首款MCU芯片。
作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体,碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。据介绍,碳化硅功率模块项目于2021年1月在智新立项,目前课题已经顺利完成,将于2023年搭载东风自主新能源乘用车,实现量产。该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代,从而实现10分钟充电 80%,并进一步提升车辆续航里程,降低整车成本。
公开资料显示,今年10月,东风汽车宣布,与中国中车合资成立的智新半导体已启动二期项目建设,年产能将达到120万只,预计2024年建成,不仅能满足东风公司到2025年产销100万辆新能源汽车对IGBT模块的需求,还能为其他车企供货。
2019年6月,东风公司与中国中车携手,成立智新半导体有限公司,开始自主研发、生产车规级IGBT模块。历时两年,2021年7月,年产30万只的IGBT生产线在武汉市东风新能源汽车产业园正式投产,这也是国内首条IGBT模块全自动化封测流水线。
封面图片来源:拍信网