EN CN
注册

【材料/设备】年产200腔体MOCVD设备,中微半导体设备生产研发基地开工

来源:全球半导体观察       

8月5日上午,南昌高新区举行2020年重大重点项目集中开工仪式,以中微半导体设备生产研发基地为代表的27个项目集中开工。

南昌中微半导体设备有限公司于2017年12月成立,是中微半导体设备(上海)股份有限公司全资子公司。该项目于2018年3月实现南昌制造,5月实现全面投产,9月实现规模生产,2019年实现产值9.2亿元。

南昌中微半导体设备生产研发基地项目总投资约10亿元,总建筑面积约14万平方米,该项目达产后将实现年产200腔体MOCVD设备的生产能力。

据了解,中微半导体设备公司将在南昌大规模制造具有自主知识产权MOCVD设备,打造成为全球最重要、规模最大的高端MOCVD装备制造基地,推进在南昌开展MOCVD相关的基础科学研究和第三代半导体应用产品开发,逐步将南昌中微打造成世界级MOCVD研发、制造及创新中心;积极促进中微公司生产基地及上下游供应链企业落户南昌,形成半导体高端设备制造的产业集群。

据南昌高新区报道,受新冠肺炎疫情影响,今年以来,市场对深紫外LED等具有杀毒功效产品的需求猛增,深紫外LED应用空间广阔。南昌中微半导体设备有限公司抓住机遇,积极投入研发力量,研制出了具有自主知识产权的高温MOCVD设备Prismo HiT3,该设备是生产深紫外LED的关键设备。今年6月,首批HiT3机台已从南昌发给客户。

中微半导体的落户,为南昌高新区打造了从MO源、衬底材料、外延、芯片、封装、终端应用及MOCVD核心关键生产设备等自主知识产权的LED完整产业链,成为全国唯一拥有LED全产业链原创技术自主知识产权的开发区。

封面图片来源:拍信网