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【材料/设备】购买ASML光刻机,晶瑞电材拟投建ArF光刻胶研发项目

来源:全球半导体观察       

8月11日,晶瑞电子材料股份有限公司(以下简称“晶瑞电材”)发布公告称,公司创业板向不特定对象发行可转换公司债券已经深交所创业板上市委员会委员审议通过,并已经中国证监会同意注册。

据披露,晶瑞电材此次拟募集资金不超过5.23亿元,扣除发行费用后将用于集成电路制造用高端光刻胶研发项目和阳恒化工年产9万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸技改项目一期建设项目。

其中,阳恒化工年产9万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸技改项目一期建设项目总投资1.87亿元,拟使用募集资金不超过6700万元,项目建成后将形成年产3万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸生产能力。

而集成电路制造用高端光刻胶研发项目总投资4.89亿元,拟使用募集资金3.13亿元,由晶瑞电材负责实施建设、运营,建设期限为36个月。

该项目旨在通过自主研发,打通ArF光刻胶用树脂的工艺合成路线,完成ArF光刻胶用树脂的中试示范线建设,满足自身ArF光刻胶的性能要求。实现批量生产ArF Immersion光刻胶的成套技术体系并完成产品定型,技术指标和工艺性能满足90~28nm集成电路技术和生产工艺要求。

为保障该项目关键设备的技术先进性和设备如期到位,晶瑞电材通过Singtest Technology PTE. LTD.进口ASML光刻机设备、购置ArF光刻机配套设备、建设研发大楼。

晶瑞电材表示,该项目已完成ASML光刻机、匀胶显影机、扫描电镜、台阶仪等研发设备购置,其他研发设备正在积极购置当中。最终产业化完成后,晶瑞电材可提供90~28nm先进制程用ArF光刻胶,满足当前集成电路产业关键材料市场需求。

不过,晶瑞电材亦在公告中提示,虽然公司具备充足研发人员储备、多年研发量产经验,全球光刻胶技术逐步由g/i线向EUV发展的技术迭代路线清晰且国外企业已有ArF产品研发完成并量产的现状,但目前公司ArF光刻胶研发仍处于起步阶段,尚未确定主配方。故本公司在ArF光刻胶研发过程中存在一定技术研发风险。

封面图片来源:拍信网