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【材料/设备】江丰电子:拟4亿元投建超大规模集成电路用高纯金属溅射靶材(扩建)项目

来源:全球半导体观察整理       

11月1日江丰电子晚间公告,公司拟与海宁市尖山新区管理委员会签署投资协议书,建设浙江海宁基地超大规模集成电路用高纯金属溅射靶材(扩建)项目,计划投资总额为4亿元,投资进度及投资金额将依照实际情况进行调整。

江丰电子表示,公司本次拟投建的项目主要生产铜及铜合金靶材。项目的实施将进一步提高公司铜靶材产品的规模化生产能力,提升公司产品的市占率,实现公司业务的稳健发展。

江丰电子成立于2005年,自成立以来一直从事高纯溅射靶材的研发、生产和销售业务,主要产品为各种高纯溅射靶材,超高纯金属及溅射靶材是生产超大规模集成电路的关键材料之一。目前,公司的超高纯金属溅射靶材产品在7纳米技术节点实现批量供货,应用于5纳米技术节点的部分产品评价通过并量产,部分产品进入验证阶段。

目前,由于国内半导体产业对国产化需求紧迫,对国产替代的进度也大大加快,公司受益于近年来装备和产线的不断加强和扩充,产品的加工制造能力得到了进一步提升,新增产品加速放量。

值得一提的是,今年8月,江丰电子完成了可转债发行,公司募集资金逾5亿元,将用于惠州、武汉基地平板显示用高纯金属靶材及部件建设项目,并补充流动资金。

封面图片来源:拍信网