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【材料/设备】ASML登上全球半导体曝光设备龙头,两个转折点都与台积电有关

来源:科技新报       

外媒报导,半导体制程一家独大的极紫外光曝光设备(EUV)厂商艾司摩尔(ASML),几乎成为各半导体制造商发展不可或缺的伙伴,尤其10纳米以下先进制程,没有EUV协助几乎不能做。ASML如何爬上龙头之位,有两个关键转折点。

20年前ASML只是名不见经传的小企业,和日本Nikon、Canon相较只能算小型公司。让ASML一举成为国际大公司,并甩开与竞争对手的差距,两个转折点至关重要,之一发生在2004年。

2004年全球半导体业界的曝光设备光源都是193纳米,且是乾刻法。要往新一代制程发展时,须提升光源到157纳米,才能提高精准度。但相对研发困难度也会增加。台积电表示,光源还可以继续用193纳米,但换个介质试试,不再以空气当介质。于是ASML尝试以水为介质,光源通过水会产生折射,使193纳米光源实际效果可能比157纳米好。

对台积电的建议,Nikon、Canon都觉得不实际,不如直接研究157纳米光源的曝光设备。小企业的ASML觉得自己规模没有竞争对手大,不如跟台积电一起尝试,成功当然很好,失败了也没太大损失。这次尝试让ASML真的开发出新产品,水介质的浸润式曝光设备也一举爆红。新设备除了成功把半导体生产精准度更提高,且成本低、研发速度快,ASML短短5年就拿下全球过半市场,Nikon、Canon想跟进时已来不及。

第二次ASML大幅成长的机会则是2015年,水介质浸润式曝光设备发展到极限,接下来研究方向以波长13.5纳米的极紫外光EUV光刻设备为主。这时英特尔领头,成立组织EUV LLC,以研究EUV光刻设备为目标。加入EUV LLC的ASML觉得,一旦研发出先进EUV光刻设备,可能会被美国提防,于是决定让出公司股份,让英特尔、台积电、三星等半导体制造大厂成为股东。

证实ASML决定不仅消除美国顾虑,还赢得盟友,还因合作得到许多技术支持,顺利推出EUV光刻设备,还不愁没有地方卖,每家半导体制造商都抢着要。这关键一脚使ASML EUV光刻设备一家独大,完全垄断市场。

封面图片来源:拍信网