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中微半导体中标华虹半导体12台刻蚀设备

来源:全球半导体观察    原作者:王凯琪    

据招标平台信息显示,4月1日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微半导体”)中标华虹半导体(无锡)有限公司12台刻蚀机。

图片来源:全国招标投标公共服务平台公告截图

资料显示,本次中标的12台刻蚀机,分别是3台钝化层刻蚀、7台氧化膜刻蚀、2台SiN刻蚀,均为等离子体刻蚀工艺。

近日,中微半导体发布2021年年度报告,显示2021年实现营收31.08亿元,同比增长37%。刻蚀设备方面收入20.04亿元,占比64%,同比增长55%。

年报显示,该公司2021年产品付运腔体数量为491腔,同比增长66.4%。其中刻蚀设备方面,CCP刻蚀机付运298腔,同比增长40%;ICP刻蚀机付运134腔,同比增长235%,取得突破性进展。

而在业务进展方面,近日,中微半导体在回答投资者提问时表示,公司的ICP刻蚀设备在2021年通过诸多客户的工艺认证并获得重复订单。

结合中微半导体年度报告最新数据, ICP刻蚀方面,中微半导体的Primo nanova® ICP 刻蚀产品已经在超过15 家客户的生产线上进行 100 多个 ICP 刻蚀工艺的验证,截止2021年年12月底,已经顺利交付超180台反应腔,持续提升ICP刻蚀的市场份额;中微半导体新推出的高输出率双反应台ICP刻蚀设备Primo Twin-Star®已经在国内领先客户的产线上完成认证,并收到更多国内客户的订单;同样应用 ICP 技术的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV200E®、Primo TSV300E®在先进系统封装、2.5 维封装和微机电系统芯片生产线等成熟刻蚀市场继续获得重复订单的同时,也开始在 3D 芯片等新兴市场的刻蚀工艺上得到验证。

在 CCP刻蚀方面,该公司在先进逻辑电路方面,成功取得5nm及以下逻辑电路产线的重复订单;在存储电路方面,在64层及128层3DNAND产线得到广泛应用;此外,中微半导体新推出的8英寸晶圆加工CCP刻蚀设备Primo AD-RIE 200®可灵活配置多达三个双反应台反应腔(即六个反应台),且提供可升级至12英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案。

封面图片来源:拍信网