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【材料/设备】制程升级压力,三大DRAM厂商EUV竞争白热化?

来源:全球半导体观察    原作者:竹子    

据财联社消息,美光总裁暨执行长梅罗特拉(Sanjay Mehrotra)5月26日表示,中国台湾中科新厂启用后,美光将会导入先进性1a nmDRAM制程生产以及最先进的极紫外光(EUV)设备。

公开资料显示,EUV制程采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源的光刻,相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面,利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV,蚀刻的各向异性明显改善,对于精确度要求较高的集成电路,EUV使电路分辨率和良率得到极大提升。

简单而言,利用EUV设备生产DRAM,将极大的提高产能、良率,并降低成本。这也使得EUV的争夺愈加白热化。

基于EUV技术对DRAM技术节点的好处,三星、SK海力士和美光这三大DRAM厂商已先后进入了EUV DRAM市场。

三星

三星率先引入了EUV。2020 年3月,三星率先使用极紫外(EUV)光刻技术,同年10月便开始批量生产基于EUV的14nm DRAM。在此过程中,三星将其最先进的14nm DDR5上的EUV层数从两层增加到了五层DRAM工艺。

2021年11月,三星表示,其已经应用EUV技术开发了14nm 16Gb低功耗双倍数据速率5X (LPDDR5X) DRAM,专门用于5G、人工智能(AI)、机器学习(ML)和其他大数据终端应用等高速率应用。此外,该公司还发布了其首个支持新型计算快速链接(Compute ExpressLink,CXL) 互连标准的DRAM内存模块,并发布了专为自主电动汽车和高性能信息娱乐系统设计的2GB GDDR6和2GB DDR4汽车DRAM。

今年2月,三星官方表示其基于极紫外(EUV)光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已完成了量产。业界消息显示,三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤,其三星的P3工厂也将采用EUV工艺生产10nm DRAM。

SK海力士

SK海力士引入EUV是在2021年。2021年2月,SK海力士完成首个用于DRAM的EUV晶圆厂M16,正式引入了EUV光刻设备。2021年7月,SK海力士宣布量产了1a nm工艺的8千兆的LPDDR4 EUV DRAM。

官方消息显示,与第三代1z nm内存芯片相比,1a技术在相同的晶圆面积下,生产的芯片数量可以增加25%。此外,202年SK海力士还发布了据称是业界性能最高的DDR5 DRAM,作为海力士的第三代高带宽内存,该芯片被称为HBM3。

美光

对比前两家的早早加码EUV,美光方面则稍晚一些。据外媒此前消息,美光计划从2024年开始,将EUV纳入DRAM开发路线图。美光在2021年推出了其1a nm内存节点DRAM,推出时该工艺依旧未使用EUV光刻技术,美光称其存储密度比之前的1z nm节点DRAM 提高40%。

今年5月26日,美光表示,将在中国台湾中科新厂启用后导入最先进的极紫外光(EUV)设备或用来生产1a nm DRAM制程。这是否是制程升级给美光带来了新的压力,我们不得而知。但是可以确定的是,三大DRAM厂商EUV竞争已进一步升级。

封面图片来源:拍信网