三星电子氮化镓半导体试生产出现故障 年内量产计划或延期

7月31日，韩媒TheElec援引多位行业知情人士消息披露，一条布局于龙仁市器兴园区的8英寸氮化镓专用晶圆代工生产线，在客户芯片试生产验证环节出现可靠性故障，受该问题影响，这条产线原定2026年内实现量产的规划大概率向后延期。

这条氮化镓代工专线为专属工艺产线，设计月度晶圆产能区间为1300片至1500片，项目推进期间已经承接多家无晶圆厂芯片设计企业的产品，完成多批次定制化芯片试流片工作，故障隐患在后续可靠性老化测试中正式暴露。

根据测试记录，部分经由该产线流片的氮化镓芯片，在100摄氏度至200摄氏度高温环境下连续不间断运行约1000小时后发生功能性故障，器件直接停止正常工作。

行业知情人士在报道中明确，经过初步排查，晶圆端制造工艺被判定为本次长期高温可靠性失效问题的主要诱因，业内推测为前期为达标器件电气性能所做的工艺参数调整，间接造成了芯片长期热稳定性不达标。

目前产线运营方已经启动问题根因全面复盘与工艺迭代整改工作，但尚未对外公布具体修复周期与新的量产时间节点。