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氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约

来源:全球半导体观察整理    原作者:EMMA    

据西电广州第三代半导体创新中心消息显示,近日,在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上,西安电子科技大学广州研究院与新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd(以下简称“ICCT”)合作共建的“氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心”项目成功签约。

据悉,该项目由广州第三代半导体创新中心团队与新加坡ICCT展开合作,围绕第三代半导体射频器件、电力电子器件等产业需求,以大幅提升QFN、陶瓷封装、金属封装等封装技术研发能力为目标,聚力开发满足产业前沿需求的先进封装技术,推进国内领先性能的第三代半导体射频器件、电力电子器件及其模块的研制进程,力争快速实现产品工程化。

公开资料显示,第三代半导体氮化镓材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力,使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求,有望放量提价。业界多位人士看好氮化镓的发展前景,英飞凌认为,未来GaN的全球使用量将会大大超过SiC,并且在多个领域取代SiC的应用,尤其是到了2030年。

官方资料显示,IC Carrier Technologies Pte Ltd (简称“ICCT”)由Yew Chee Kiang(杨志强)博士于2013年成立于新加坡,是一家致力于提供半导体封装材料和封装技术服务的企业。

封面图片来源:拍信网