韩国启动超级创新经济项目，投5000亿韩元攻坚下一代功率半导体

据Sedaily报道，韩国政府正式启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元（约合3.29亿美元）专项资金，集中攻关下一代功率半导体技术。

该项目由韩国副总理兼企划财政部长官具润喆牵头推进，相关路线图讨论会议已完成磋商，明确将功率半导体培育为比肩存储芯片DRAM的核心产业。据韩媒披露，本次投入规模后续有望扩大至7500亿韩元（约合4.94亿美元），构建长期稳定的研发与量产资金保障体系。

此次项目将聚焦碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料，重点突破高温、高压、高频环境下的器件性能难题。技术路线明确后，韩国将同步推进8英寸化合物功率半导体晶圆厂基础设施建设，计划2027年实现1200V SiC MOSFET等核心器件量产。

应用端方面，本次研发成果将覆盖AI数据中心、新能源汽车、电网设备、工业驱动、航空航天及高端国防装备等多元场景。韩国政府表示，随着可再生能源在电力系统中占比持续提升，功率半导体在稳定电网、提升电能质量中的作用愈发凸显，相关技术突破将直接助力能源基础设施升级。

产业协同层面，韩国将构建“需求企业+Fabless设计企业+晶圆代工企业”联盟模式，保障研发成果快速落地应用。同时，政府预计撬动2500亿韩元民间配套资金，形成官民协同投入格局，目标到2030年将功率半导体技术与产能自给率提升一倍。