EN CN
注册

【制造/封测】江苏天科合达半导体碳化硅项目投产仪式顺利举行

来源:天科合达       

2019年12月26日18:30,江苏天科合达半导体有限公司投产仪式欢迎晚宴在徐州博顿温德姆酒店举行。北京天科合达总经理杨建先生及江苏天科合达总经理彭同华先生对前来参加投产仪式的各级领导、嘉宾致以最热烈的欢迎和诚挚的问候。

 

2019年12月27日上午9:18分,江苏天科合达半导体有限公司投产仪式在徐州经济技术开发区凤凰湾电子信息产业园内拉开序幕。

 

莅临投产仪式:
■ 中国科学院物理研究所党委书记文亚;
■ 新疆生产建设兵团科技局原局长田笑明;
■ 中国科学院大学党委副书记高随祥;
■ 国家集成电路产业大基金唯一管理机构——华芯投资管理有限责任公司投资一部总经理汤树军;
■ 北京天科合达半导体股份有限公司法人代表、总经理,江苏天科合达半导体有限公司董事长杨建;
■ 中国科学院物理所重点实验室主任,北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙;
■ 日本高鸟公司副社长松田;
■ 江苏中科汉韵半导体有限公司总经理许恒宇;
等一批半导体业内精英、大咖共百余人参加了投产仪式;


北京天科合达半导体股份有限公司法人代表、总经理,江苏天科合达半导体有限公司董事长杨建先生致辞。


徐州经济技术开发区党工委副书记、管委会副主任陈明先生致辞。


文亚书记、田笑明局长、高随祥书记、才华会长、陈明书记、戴雷主任、汤树军总经理、陈小龙主任、杨建董事长和许恒宇总经理共同上台启动投产按钮,标志着江苏天科合达半导体有限公司在徐州开启新的篇章。


随后,现场与会领导及嘉宾参观了江苏天科合达生产车间,车间内250台(套)碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛设备的碳化硅衬底生产线早已安装就绪,蓄势待发。

 

江苏天科合达半导体项目总投资5亿元,占地面积26000平方米,可实现年产4-8英寸碳化硅衬底6万片,该项目顺利建成投产标志着天科合达的碳化硅产业化进程跨出了关键的一步,同时也标志着我国第三代半导体碳化硅衬底产业的发展进入一个崭新的阶段。
今后,江苏天科合达将继续秉承大胆创新、潜心钻研、坚持不懈地走自主创新的发展道路,以科技创新、引领未来为己任,为全国乃至世界第三代半导体产业自主可控、快速可持续发展做出更大的贡献!