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【制造/封测】好货自己先用! 韩媒:三星3纳米自家产品将先采用,再推广客户

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

根据韩国媒体报道,三星近期在上海的一个半导体代工论坛上,公布了该公司在半导体代工业务的路线图。尽管在该路线图中包括2021年下半年将推出的第一代4纳米芯片的量产计划、2022年第二代4纳米芯片的量产计划,以及2023年第二代3纳米芯片的量产计划。但是,其中就是未包括了先前三星所宣布的,即将在 2022 年推出的第一代3纳米芯片的生产计划,这也引起了市场人士的猜测。

韩国媒体《BusinessKorea》的报道指出,针对三星在半导体代工的路线图中,没有公布第一代3纳米芯片的生产计划,一些韩国的分析师就指出,三星之所以没有透露其第一代3纳米芯片的量产计划,可能是因为三星计划先将3纳米制程应用于自己设计的芯片上,然后再将其用于客户的芯片当中。

报道表示,三星先前表示,其由3纳米制程技术生产的芯片,相较于5纳米制程技术所生产的芯片,在芯片的面积上将缩小35%,但是其运算效能则是提高了15%,而电池能能效则提高了30%。而相对于三星,全球最大的晶圆代工厂台积电目前也在开发3纳米制程技术,目标是2022年开始进入量产阶段。

另外,三星预计在3纳米制程技术中采用闸极全环(Gate-All-Around,GAA)技术,而非传统的鳍式场效晶体管(FinFET)技术。 而其由GAA技术能将晶体管栅极和沟道的接触面扩展到四个,在此情况下与现有的FinFET技术相比,这种技术借由增加一个边接触面来提高电流的效率。

报道强调,美国电子设计自动化(EDA)公司新思科技(Synopsis)在上个月宣布,已经与三星电子合作,成功达成了以GAA技术的3纳米制程的晶圆流片(Tape Out)程序。晶圆流片是指晶圆设计已完成开发,并将设计移交给制造商的一个阶段。 所以,在进入这个阶段之后的三星,有望在验证后开始测试3纳米制程技术的生产程序。

封面图片来源:拍信网