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三星宣布2025年推出首个GAA制程先进封装

来源:TechNews科技新报       

此前媒体爆料,三星宣布,2025年推出全球首款使用全环绕栅极晶体管(GAA)制程3D先进封装,提供客户从代工生产到先进封装完整解决方案。

据韩国媒体BusinessKorea报导,近日三星代工业务总裁崔世英讲述三星晶圆代工蓝图,计划2025年将GAA制程芯片扩展到3D封装,因制程微缩对降低成本和缩小芯片面积有其限制,因此三星多样化后段先进技术。

因两种制程复杂性都很高,产业界尚未尝试结合GAA制程与3D先进封装。GAA制程取代传统FinFET制程技术,可以最大化资料传输路径面积,并减少芯片尺寸。而3D先进封装是整合技术,使不同小芯片像单芯片发挥作用。在制程微缩逐步接近极限的现在,英特尔和台积电等都在激烈竞争,以加速商业化。

三星于2020年首次推出7纳米EUV制程的3D先进封装X-Cube,并于2022年率先量产3纳米GAA制程,且半导体业务部门另组先进封装(AVP)团队,加速下代半导体后段制程研发,三星预估将在2027年量产1.4纳米先进制程。

为了强化晶圆代工业务,三星已经宣布发展本土系统半导体生态系统发展计划,预计2024年扩展多项目晶圆(MPW)服务,目标是成为人工智能和高效能运算(HPC)关键推动者,采用4纳米制程,2025年MPW服务总量成长超过10%,带动韩国系统半导体产业发展。

封面图片来源:拍信网