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中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管

近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展,分别采用氧气氛...

晶体管 功率半导体 氧化镓

功率器件

2022年国内十大科技新闻:清华大学集成电路学院研究成果入选

近日,由科技日报社主办、部分两院院士和媒体人士共同评选出的2022年国内十大科技新闻揭晓,清华团队首次制成栅极长度最小的晶体管...

集成电路 晶体管 芯片技术

IC设计

攻克难题!香港理大团队的这个成果,事关芯片研发

香港理工大学应用物理学系柴扬教授课题组研发了能在室温下工作、基于“谷”输运机制的量子晶体管。该项研究成果利用新型拓扑半导体材料...

芯片设计 晶体管 半导体材料

IC设计

登上《Nature》,南大团队在二维半导体领域取得新突破!

2023年1月11日,南京大学王欣然教授、施毅教授带领国际合作团队在全球顶级科研期刊《Nature》上以“Approaching the quantum limit in tw...

晶体管 半导体技术

材料/设备

突破!复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管

复旦大学微电子学院周鹏教授、包文中研究员及信息科学与工程学院万景研究员创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管...

硅晶圆 晶体管 半导体技术

制造/封测

复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

复旦大学微电子学院朱颢研究团队针对上述晶体管器件技术的关键需求,与美国国家标准与技术研究院(NIST)及美国乔治梅森大学合作,提出了...

晶体管 上海复旦微电子 MOSFET

功率器件

GaN衬底研发获新突破!

近日,北京大学与中镓半导体、波兰国家高压实验室开展了合作,使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬...

晶体管 氮化镓

功率器件

集成电路面临“孤岛化”风险,长鑫存储朱一明:全球化是历史潮流

11月17日,针对当前集成电路行业“逆全球化”的发展趋势问题,长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明在2022世界集成电路大会上发表了自己的见解...

集成电路 晶体管 长鑫存储

IC设计

良率95%!英特尔测试完成以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片

近日,处理器龙头英特尔实验室和组件研究组织在加拿大魁北克举行的2022年硅量子电子研讨会表示,实验室和零部件研究部门已展示硅自旋量子运...

量子计算机 晶体管 英特尔处理器

IC设计

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