芯恩集成电路斩获等离子增强原子层沉积专利，推动晶圆薄膜沉积均匀性新突破

据国家知识产权局的官方信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司获得了一项名为“等离子增强原子层沉积设备”的专利，授权公告号为 CN 222557054 U，申请日期为2024年2月。

专利摘要指出，本实用新型涉及一种等离子增强原子层沉积设备，它包括等离子管、电极组件和气体输入管路；等离子管由 N 个等离子支管组成，这些支管沿设备的高度方向依次排列，其中 N 是大于等于 2 的正整数；电极组件设有 N 组，每组包括正电极和负电极，等离子支管位于正电极和负电极之间，并且 N 组电极组件与 N 个等离子支管一一对应；气体输入管路也设有 N 组，与 N 个等离子支管相对应。

本实用新型能够独立控制不同等离子支管内前驱体的电离程度，有助于实现不同晶圆上沉淀物薄膜的均匀厚度，从而提升同批次晶圆的均匀性。

芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，坐落于美丽的海滨城市青岛黄岛区。公司专注于集成电路的制造与设计，业务涵盖芯片研发、生产、销售等多个环节，致力于为客户提供全方位的半导体解决方案。芯恩（青岛）集成电路有限公司拥有多项核心专利技术，涵盖芯片设计、制造工艺等多个领域。