英特尔先进封装技术可实现12倍光罩尺寸超大芯片量产

据海外科技媒体Wccftech最新披露，英特尔在超大尺寸先进封装技术上取得关键突破，依托新墨西哥州里奥兰乔工厂的工艺迭代，其异构封装方案可打造远超单块光刻掩模物理上限的巨型整合芯片，远期规划最高可达光刻光罩尺寸的12倍。

现阶段英特尔已实现封装尺寸达到行业标准光罩的8倍水平，按照技术路线图推进，2028年将落地12倍以上光罩规格的超大封装产品，单颗整合芯片物理尺寸可达240毫米×240毫米，等效达到24倍光罩面积，规模超越当前除面板级封装以外所有主流封装架构。

芯片制造受光刻机光罩版框固有尺寸约束，单颗晶圆曝光芯片面积存在硬性天花板，先进封装通过Die-to-Die互连、大面积中介层整合，打破单片裸片物理限制，是AI超级算力芯片、超大规模异构算力集群的核心落地路径。英特尔依靠EMIB、Foveros叠加堆叠技术不断拓宽封装边界，短期将批量落地7倍以上光罩尺寸产品，中长期锁定12倍光罩封装量产目标；而更极致的面板级封装技术，理论上可实现超50倍光罩尺寸的超大基板整合。

对于AI大模型训练、超算、全栈式算力加速器而言，超大尺寸封装能够把CPU、GPU、HBM存储、IO接口、高速互连裸片高密度集成在同一封装体内，缩短信号传输路径、降低功耗损耗，大幅提升算力集群整体性能，也是头部厂商比拼先进封装壁垒的核心赛道。

行业内AMD、台积电同样在加码超大尺寸CoWoS、面板级封装布局，英特尔本次明确可落地的尺寸倍数与量产时间节点，进一步拉高高端算力芯片封装技术竞争门槛。目前该技术仍处于产线验证迭代阶段，240mm×240mm超大封装良率控制、翘曲度管控、热散热设计等量产难点仍需持续攻克，具体商用芯片落地时间、搭载产品类型以英特尔官方后续技术发布会披露为准。