源杰科技抛出42.68亿元产业园投资计划，加码高端激光器芯片产能建设

据上交所上市公司公告、证券时报、上海证券报8月11日晚间消息，科创板光芯片厂商源杰科技发布重大投资公告，公司计划投建源杰半导体科技产业园项目，项目总投资额约42.68亿元，费用当中包含土地出让金，实际投入金额后续依照落地情况调整。

产业园选址坐落于陕西西咸新区沣西新城，规划工业用地约126亩，土地使用年限50年。园区主要搭建激光器芯片产线、标准化生产厂房以及全套生产配套设施，项目建设周期设定为24个月；资金来源为自有资金以及外部自筹资金，本次投入不会动用上市募集资金，源杰科技为项目唯一建设主体。

现阶段该投资预案已经经过公司多层董事会专项会议审议通过，按照规章制度还需要提交股东大会进行表决。除此之外项目用地备案、环评、建设规划审批等前置手续尚待办理，项目工期、建设规划有可能受政策、市场环境产生变动，建设进度存有不确定性。

公告说明，本次大规模建厂主要为破解当下产能瓶颈，扩充高速、高端激光器芯片的量产规模。伴随AI算力基础设施加速铺开，数据中心高速光模块订单持续走高，上游DFB激光器芯片供需紧张。产业园落成之后可以承接激增的客户订单，提升供货响应速度、保障交付稳定性，稳固国内IDM光芯片龙头的产能优势。

公开业绩预告显示，受益800G、1.6T光模块需求爆发，源杰科技2026年上半年归母净利润区间6亿元‑6.5亿元，业绩已经远超2025全年盈利水平，算力光芯片业务已经成为核心增长引擎。