三星敲定High‑NA EUV落地规划，仅1nm制程启用新一代光刻设备

据韩媒ZDNET‑Korea8月11日资讯，在2026下一代光刻与图案化学术大会之上，三星电子晶圆代工工艺开发负责人朴昌民对外披露公司最新光刻技术路线，三星计划等到1nm工艺节点，才实现High‑NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）的商业化投产。

朴昌民表示，现阶段2nm（SF2）、1.4nm（SF1.4）两大近期先进制程之下，High‑NA‑EUV对应的光刻图案化技术成熟度尚且不足，暂时不适合导入量产。
0.33‑NA的常规EUV多重曝光方案，将会承担起SF2、SF1.4节点的光刻工作；直至工艺推进至1nm层级，超精细电路图案对于光刻分辨率硬性需求上升，届时High‑NA EUV才会成为刚需，三星目前正和设备合作伙伴开展联合攻关。

按照三星对外公开的先进制程时间表，SF1.4定档2029年启动量产，改良版本SF1.4+于2030年推出。受该时间线约束，品牌1nm工艺节点最快同样要等到2030年落地商用，新一代光刻设备的投产节奏也将和1nm制程保持同步。

从技术原理来看，传统EUV设备数值孔径为0.33，High‑NA EUV提升至0.55，单次曝光的图形解析能力大幅提高，可以减少多重曝光工序、压缩芯片制造成本、改善良率。三星现阶段仅在研发产线配备试验机型，推迟商用落地，可以优先解决2nm、1.4‑nm节点良率爬坡，待下游芯片厂商对于超精细线路需求爆发之后再启用全新光刻设备。

放眼行业对比，台积电已经规划较早导入High‑NA EUV适配1.4nm工艺，两家头部晶圆代工厂在新一代光刻机的落地节奏已经拉开差距。