格罗方德推7纳米制程技术 首批产品明年亮相

格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)于昨(14)日宣布，推出7纳米领先性能(7LP,7nm Leading-Performance)的FinFET制程技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云端服务器网络基础设备等应用需求；设计软件已就绪，使用7LP技术的首批产品预计2018年上半年推出，并将于2018年下半年进行量产。

此外，格罗方德亦宣布推出其使用7纳米FinFET制程的FX-7TM ASIC(特殊应用集成电路)；FX-7是一个整合式设计平台，将先进的制程技术与差异化的知识产权和2.5D/3D封装技术相结合，能为数据中心、机器学习、汽车、有线通信和5G无线应用提供业内最完整的解决方案。

格罗方德CMOS业务部资深副总裁Gregg Bartlett表示，公司的7纳米FinFET制程技术正在按照计划开发，预期在2018年计划宣布的多样化产品对客户将有强大吸引力。在推动7纳米芯片于未来一年中实现量产的同时，格罗方德正在积极开发下一代5纳米及其后续的技术，以确保客户能走在最前端使用领先全球的技术。

据了解，格罗方德的7纳米FinFET制程技术充分利用了其在14纳米FinFET制程技术上的批量制造经验，该技术于2016年初2月8日在Fab 8晶圆厂中开始生产。自那时起，格罗方德已为广大的客户提供了“一次便成功”的设计。

为了加快7LP的量产进度，格罗方德表示，正在持续投资最新的研发设备能力，包括在今年下半年首次购入两组极端紫外线(EUV)光刻工具。7LP的初始量产提升将依赖传统的光刻方式，当具备批量生产条件时，将逐步使用EUV光刻技术。

在7纳米特殊应用集成电路(ASIC)平台方面，格罗方德指出，在FX-14的持续成功下，公司凭借业内领先的56G SerDes技术和特殊专用集成电路专长，FX-7提供包括高速SerDes在的全方位定制化介面知识产权和差异化存储解决方案，涵盖低功耗SRAM、高性能嵌入式TCAM、整合式DACs/ADCs和ARM处理器，以及诸如2.5D/3D的先进封装选择。

此外，FX-7产品群组可适用于以超大型数据中心、5G网路、机器与深度学习应用为代表的低功耗和高性能应用，为其提供全新的设计方法和复杂的ASIC解决方案。未来，FX-7有望被运用支持汽车ADAS及图像应用的解决方案。

格罗方德ASIC业务部资深副总裁Mike Cadigan表示，随着全球网络中数据流量和频宽的爆炸性增长，客户不断提出新的需求，而利用公司最先进的7LP FinFET制程技术，FX-7产品能为使用诸如数据中心、高度计算、无线网络等新兴领域的客户，提供最先进的低功耗、高性能ASIC解决方案，进而不断提升公司为客户服务的领导者形象。

受惠格罗方德在硅芯片制造专长与IBM前半导体技术业务的有力结合，格罗方德的7纳米FinFET制程技术展示了其先进科技和市场领导地位；TIRIAS Research创始人兼首席分析师Jim McGregor表示，透过格罗方德最新FX-7 ASIC产品，其已将业务版图从传统代工客户拓展至新一代系统公司，这些公司正寻求将尖端芯片制程技术应用于从人工智能的深度学习到下一代5G网络等广泛领域。

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