传三星跳级直攻6纳米拟2019年量产

来源：MoneyDJ新闻原作者：陈苓 2017-06-28 08:30:10

据传台积电7纳米微缩制程大幅超前三星电子，成功夺走高通7纳米处理器大单。韩国消息称，三星打算直攻6纳米制程扳回一城。

韩媒etnews 27日报导，台积电花最少精力研发10纳米，跳级直取7纳米的策略奏效，抢走三星的高通订单。三星心有不甘，打算从10纳米，直攻基于7纳米的6纳米制程，目标2019年量产6纳米。据传三星晶圆代工部门心知无力挽回转单，重心放在6纳米，今年将装设两台艾司摩尔(ASML)极紫外光(EUV)微影设备“NXE3400B”，明年还会装设7台。

三星导入EUV可以减少光罩层数、节省成本。台积电首批7纳米制程并未使用EUV，仍使用ArF液浸装置，处理时间较长、成本也较高。半导体业界人士称，三星电子曾跳过20纳米，抢攻14纳米，取得成功。台积电也跳过10纳米、直取7纳米，赢得市场先机。如今三星购入EUV设备，将与台积电激烈厮杀。

etnews称，三星打算2019年量产6纳米。台积电拟于2018年量产7纳米，并计划在第二代7纳米制程使用EUV机台，目标2019年量产二代7纳米芯片。

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