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【IC设计】AMD技术长:7纳米芯片制程设计史上最困难

来源:钜亨网       

据《V3》报导,AMD的技术长CTO Mark Papermaster近期表示,AMD转换到7纳米制程是近几代芯片设计以来最困难的路程,也指出需要使用新CAD工具及多项设计改变。

Papermaster表示,AMD的第二代及第三代Zen系列将采用7纳米制程,而这项制程将会带来较长的“节点”(node),与其把标准模组重新设计,得把整个系统与蓝图整理一遍。7纳米的晶体管连接方法较特殊,导致AMD得与半导体厂更密切的合作。为了减少自对准四重图案(self-aligned quadruple patterning,SADP),2019年以后的半导体厂将倾向于极紫外光刻(Extreme UV,EUV),这可减少所需的磨具(mask)而减少时间与成本。

据了解,AMD及英伟达Nvidia都在探索“2.5D芯片堆叠”来连接处理器与存储器的快速硅载板(interposer)。苹果Apple与他厂都在晶元层结合处理器与存储器形成扇形组装,统称“2.1D技术”,但目前对于服务器及桌机处理器还不够成熟。Papermaster认为2.1D技术在2至3年内应会较完善。

另外,因为制程的改良应不会再有效的提升处理器的主频速度,Papermaster也呼吁软件工程师应多使用多核技术与平行线程来提高运输效率。AMD也开始模组化其处理器及GPU电路板线设计、缩短旗下的Globalfoundries半导体厂技术、并同时下单给台积电来生产其GPU,与英特尔Intel和英伟达抗衡。

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