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【IC设计】三星7nm工艺确认下半年量产 2021年冲3nm GAA量产

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

为了减低近期存储器降价带来的冲击,全球存储器龙头三星逐渐强化晶圆代工业务,希望有机会进一步拉近与台积电的差距。在先进制程的发展方面,根据三星高层表示,将在 2019 下半年量产内含 EUV技术的 7 纳米制程,而 2021 年量产更先进的 3 纳米 GAA 制程。

根据国外科技网站《Tomshardware》报导,三星晶圆代工业务市场副总 Ryan Sanghyun Lee 表示,三星从 2002 年一直在开发硅纳米线金属氧化物半导体场效晶体管(Gate-All-Around;GAA )技术,也就是透过使用纳米设备制造 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET),可显著提升晶体管性能。三星准备在 2021 年量产 3 纳米 GAA 制程。

来源:三星

报导进一步表示,关于三星 3 纳米 GAA 制程何时进入量产,至今似乎并没有统一说法。三星晶圆代工业务负责人 Eun Seung Jung于2018 年 12 月在 IEDM 会议就表示,三星已完成 3 纳米制程技术性能验证,进一步优化制程后,目标是在 2020 年大规模量产。

不过 3 纳米 GAA 制程不论 2020 年还是 2021 年量产,都还离现在都还有点远。三星 2019 年主推的是内含 EUV 技术的 7 纳米制程,预计 2019 下半年量产。尽管三星 2018 年就已经宣布内含 EUV 技术的 7 纳米制程能量产,实际上之前所说的量产只是风险试产,远未达到规模量产的地步,2019 年底量产才有可能。

只是,在内含 EUV 技术的 7 纳米制程,台积电之前也宣布将在 2019 年量产,看起来三星也没有进度优势,目前仅能寄望在三星在内含 EUV 技术的 7 纳米制程有自己开发的光罩检查工具,而在其他竞争对手还没有类似的商业工具的情况下,能有更好的良率,以及更低的成本。因此 7 纳米节点,三星现阶段想要超前,似乎还需要一点运气。

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