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【IC设计】高通推出首个5纳米5G基带芯片 终端产品估2021年上市

来源:科技新报       

面对未来5G时代终端产品对于多样化的联网需求,移动处理器龙头高通(Qualcomm)宣布,继骁龙(Snapdragon)X50及X55之后,再推出第3代5G基带芯片骁龙X60,这也是全球首个5纳米制程的5G基带芯片。

该芯片可涵盖所有主要5G频段与组合,包括使用分频双工(FDD)与分时多工(TDD)毫米波与sub-6频段,能够运用片段频谱资产提升5G效能。

高通表示,骁龙X60是全球第一个支援毫米波与sub-6聚合的基带芯片,内建全球第一个5G FDD-TDD sub-6载波聚合解决方案。除了支援5G FDD-FDD和TDD-TDD载波聚合解决方案,同时搭配动态频谱分享(DSS),可以让电信商拥有多种部署选择,包括将LTE频谱重新规划供5G使用,有效提升平均网络速度与加速5G扩展。

另外,这种5G基带芯片与天线解决方案提供高达7.5Gbps下载速度以及3Gbps上传速度。

与没有支持载波聚合的解决方案相比,其sub-6 GHz频谱聚合能够运用独立模式,让5G独立组网模式的尖峰资料传输速率提升一倍。

骁龙X60还支援的VoNR能力,可以让全球移动电信商使用5G NR提供高品质语音服务,为全球移动产业从非独立组网转移至独立组网模式迈出重要一步。

高通进一步指出,骁龙X60也透过搭载全新的高通QTM535毫米波天线模组,提供卓越的毫米波效能。QTM535是该公司的第3代移动5G毫米波模组,拥有比之前一代产品更精巧的设计,从而实现更轻薄与流线型设计的智能手机。

高通预计将于2020年第1季为骁龙X60与QTM535送样,而搭载此款全新数据机射频系统的商用高端智能手机将于2021年初问世。

封面图片来源:拍信网