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【IC设计】重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片

来源:全球半导体观察       

16日消息,重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义介绍,目前实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片,主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面。电量能节省10%以上,面积是硅芯片的1/5左右,开关速度提升10倍以上。目前该项目已经到了试验性应用阶段,未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。

重庆邮电大学校长高新波此前表示,重邮在第三代半导体技术方面取得了系列突破和丰富成果。重邮已联合成都电子科大、西安电子科大、北京理工大学等院校,大力推进西部(重庆)科学城行动计划重大项目,全力建设“重庆市集成电路设计创新孵化中心”。

目前,该孵化中心已入驻西部(重庆)科学城。该中心将着力建设集成电路公共设计、测试分析、半导体工艺等为一体集成电路中试平台,提供低成本、高效率的集成电路公共服务与专业技术支持。

封面图片来源:拍信网