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【IC设计】Intel 4工艺进展顺利:每瓦性能提升20%

来源:全球半导体观察整理       

近日,英特尔再次曝光了其Intel 4 EUV工艺的最新进展。根据官方放出的48秒视频展示了基于该工艺生产的晶圆的测试过程,最后的测试结果显示,整个晶圆上的芯片几乎通过了所有测试,内部的SRAM、逻辑单元、模拟单元都符合规范,芯片性能较优。这也意味着Intel 4工艺进展顺利,良率已经达到了较高的水平。

在今年10月底,英特尔发布了12代酷睿,该芯片不仅采用了全新的“大小核”架构,制程工艺也升级到了Intel 7(之前的10nm SuperFin工艺,相当于台积电7nm工艺)。根据英特尔的规划,预计将会在明年下半年量产全新的Intel 4工艺。

根据英特尔之前公布的信息显示,与Intel 7相比,Intel 4的每瓦性能提高了约20% ,同时它也将是首个完全采用EUV光刻技术的英特尔FinFET节点。此前台积电的7nm EUV工艺也只是少部分环节采用了EUV工艺。

目前,Intel没有公布这个晶圆的具体情况,不过结合之前的信息来看,这个测试的晶圆应该是14代酷睿Meteor Lake,已经在今年第二季度完成计算单元的流片,现在测试结果较为合理。

封面图片来源:拍信网