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【IC设计】证监会同意臻镭科技、东微半导体科创板IPO注册

来源:全球半导体观察整理       

12月21日晚,证监会官微发布消息称,证监会按法定程序同意浙江臻镭科技股份有限公司(以下简称“臻镭科技”)、苏州东微半导体股份有限公司(以下简称“东微半导体”)科创板首次公开发行股票注册,臻镭科技及其承销商将分别与上海证券交易所协商确定发行日程,并陆续刊登招股文件。

臻镭科技科创板IPO注册

招股书显示,臻镭科技成立于2015年9月份,公司专注于集成电路芯片和微系统的研发、生产和销售,并围绕相关产品提供技术服务。主要产品包括终端射频前端芯片、射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC、电源管理芯片、微系统及模组等。

目前,臻镭科技已成为国内军用通信、雷达领域中射频芯片和电源管理芯片的核心供应商之一。虽然成立的时间不久,但是公司已经成为多家军工企业的核心供应商,其产品作为核心芯片应用于多个型号装备中。

据了解,臻镭科技此次IPO拟募资7.05亿元,将主要用于射频微系统研发及产业化项目、可编程射频信号处理芯片研发及产业化项目、固态电子开关研发及产业化项目、总部基地及前沿技术研发项目以及补充流动资金。

东微半导体科创板IPO注册

资料显示,东微半导体是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力,集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。

据悉,东微半导体采用Fabless模式的半导体功率器件设计公司,不直接从事芯片的生产和加工环节,主要采购内容为晶圆及封测服务。

公司业绩方面,2018年至2020年,东微半导体实现营业收入分别为15,289.99万元、19,604.66万元和30,878.74万元;净利润分别为1,297.43万元、911.01万元和2,768.32万元。

根据《人民日报》报道,2016年4月,东微半导成为率先量产充电桩用高压超级结MOSFET器件的本土企业,打破了国外企业对这一产品的垄断,降低了充电桩的整体成本,也为近几年国内充电桩的快速推广提供了大量的国产化芯片。

据了解,东微半导体此次拟募集资金9.39亿元,扣除发行费用后将用于投资超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目、及科技与发展储备资金。

封面图片来源:拍信网