注册

群联64层3D NAND Flash控制IC预计上半年出货

来源:中时电子报    原作者:苏嘉维    

NAND Flash控制IC厂群联宣布推出,搭载支持64层3D NAND Flash技术SD 5.1 A1规范相容之MaxIOPS系列存储卡控制IC,相较2D NAND Flash版本速度快上两倍,瞄准新一代高端智能手机及平板等移动市场,预计上半年开始出货。

群联于2017年SD协会全球技术研讨会上介绍新推出搭载东芝64层TLC 3D NAND Flash的存储器控制IC“PS8131”。群联表示,随着5G、4K、8K等高端规格数字串流时代来临,正积极地抢攻各种高端智能手机、平板电脑等智能移动设备的快闪存储器市场,并提供稳定且可靠的扩充型存储卡解决方案,新一代产品不仅具备群联电子自主开发技术,更搭配了最新制程3D TLC的 NAND Flash,将为市场提供一个高速且符合经济效益的完整解决方案。

在效能表现上,新产品延续前一代的MaxIOPS系列技术,为具备SD 5.1 A1规范的NAND Flash高端控制芯片,能提供高于前一代产品两倍的随机写入速度,并强化了控制芯片的硬件及韧体架构,而且不仅能相容于目前的Android Marshmallow作业系统,更能流畅支持最新的Nougat作业系统,与智能移动设备的内存透过嵌入式扩展储存功能(Adoptable storage function)完美地整合运作,让终端使用者能有更高的存储器储存容量可以使用,提升使用者体验。

在技术发展上,PS8131支持群联电子自主开发的最新科技StrongECCTM纠错技术,因此不但具备精简及低功耗的设计特性,更能增加3D NAND Flash的可靠度,且预计于今年上半年开始出货搭载具备东芝(Toshiba)64层TLC的 3D NAND Flash的高容量储存解决方案。

群联指出,PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1规范(Application Performance Class),具备高性能表现,不但能为Android 7.0/6.0设备的使用者提供即刻扩充内部存储器储存容量的便利性,更能完美地与移动设备内存整合运作,将移动设备使用者体验提升到全新水准,以满足日益增加的高容量移动储存需求的智能手机、平板电脑等新一代移动设备扩充存储器储存的需求。