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【存储器】三星西安NAND工厂月底启动扩产(附近期半导体大投资)

来源:台湾经济日报    原作者:简永祥    

全球存储器芯片龙头三星电子将于未来三年斥资70亿美元,扩大西安厂区储存型快闪存储器(NAND Flash)产能,增幅约67%,新厂预计本月底动土。

三星西安NAND工厂月底启动扩产(附近期半导体大投资)

这是三星去年宣布增产DRAM之后,再次在存储器芯片领域砸下重金扩产,为全球存储器市场再次投下一颗震撼弹。

另东芝、美光等NAND芯片大厂也都同步扩充产能,以及紫光集团旗下长江存储产能明年大举开出,都将牵动未来报价走势,市场高度关注。

三星位于西安的存储器厂,目前主力产品全为NAND Flash。三星规划,将在本月底举行新厂动土仪式,新厂完成后,西安NAND Flash月产能将由目前的12万片增至20万片,增幅67%。

三星西安NAND Flash生产线,是三星极为重要的生产据点,这项扩建案一度因韩国部属萨德飞弹系统事件,中国对韩国实施经济制裁,导致韩国政府一度要求三星重新考虑在西安的投资,并以在韩国投资为优先而出现波折,但现在则顺利进行。

三星当时为回应韩国政府的期许,也决定在韩国启动晶圆代工事业和DRAM的投资,包括改装韩国华城厂16号线,将原本生产2D NAND Flash改生产DRAM。另平泽厂也决定打造新DRAM产线,第一阶段产能预定下半年开出。

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