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【存储器】南茂明年营运续扬,产能估双位数成长

来源:中时电子报       

封测厂南茂昨(8)日召开线上法说,董事长郑世杰表示,虽然半导体景气仍不明朗,南茂受惠标准型DRAM订单增加、触控面板感应芯片(TDDI)产品渗透率提升,预期明年营运将持续成长。不过,因仍有许多不确定因素,将密切注意市场及客户状况因应。

南茂财务长苏郁姣表示,第三季整体稼动率约75~80%,其中测试约75~78%,封装约65%,驱动IC约80~85%,凸块约75~80%。

展望第四季,受惠新客户测试产能陆续到位、投入生产,且10月再度调涨面板驱动IC(DDIC)测试及12英寸薄膜覆晶封装(COF)报价,郑世杰预期第四季DDIC稼动率估维持满载,带动营收持续成长。

同时,TDDI产品在新型智能手机渗透率持续增加,且新型窄边框、全屏幕智能手机带动的12寸COF需求非常强劲,郑世杰预期需求将持续到年底、甚至到明年,南茂将持续投资扩产,主要扩充TDDI、车用DDIC测试及12寸COF封装、晶圆凸块产能。

郑世杰表示,预期南茂明年产能将年增约双位数,资本支出将达年营收约20~25%。明年新增的封测产能,均与客户签署产能保障协议,确保未来3年的基本稼动率,若未达规定稼动率,客户会按单位时间及费用支付给南茂。

郑世杰表示,由于目前机器交期设备相当长,预期明年产能供需仍紧,认为南茂DDIC产品明年营收将持续成长,按目前签署的产能保障协议最低门槛推估,明年TDDI占驱动IC营收比重,将自今年第三季的22%提升至30~35%。

存储器方面,受终端产品需求减缓、客户调节库存影响,郑世杰预期第四季利基型DRAM及Flash营收会较第三季稍降。不过,由于美系DRAM客户自第四季起增加对南茂封测代工下单量,预期第四季存储器产品营收将持平第三季。

郑世杰指出,美系DRAM客户明年初将继续增加标准型DRAM代工订单量,并将较成熟的低容量NAND Flash陆续转由南茂封装生产,目前既有产能已足以因应上述新增订单需求,看好明年封装营收及稼动率将进一步成长提升。

对于美系DRAM客户在台中兴建自有封装产能,是否担心影响未来外包释单量,郑世杰表示,DRAM主要分为标准型、行动型及下世代的DDR4/DDR5,南茂目前承接该客户的存储器封装订单,和其台中厂产品线完全没有重叠,因此不会有此影响。

至于上海紫光宏茂目前仍处亏损,南茂前三季认列约新台币1.5亿元亏损,南茂表示,第三季认列紫光宏茂亏损约新台币6000多万,目前投资机器设备已有既定产能安排,预期稼动率可望逐季逐月提升,可望带动亏损逐季下降,期望明年第二、三季能出现单月或单季损平。

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