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【存储器】WD 发布UFS 3.0 iNAND EU511 闪存产品

来源:XFastest       

最近存储芯片也推出了最新的规格由 UFS 2.0 /2.1 提升到 UFS 3.0,SEQ 读写速度堪比 SSD。Western Digital(WD)宣布推出新一代 iNAND 嵌入式闪存 EU511,支持最新的 UFS 3.0,最大容量 512 GB,使用了 96-Layer 3D NAND 闪存,写入速度达到 750 MB/s,足足比上代快了一倍。宣称为未来的 5G 设备提供更好的体验。

Western Digital 官方没有公布具体的芯片类型,但估计不会是 QLC,3D TLC 的机会比较大,因为今年 1 月底 Toshiba 也同样推出了 UFS 3.0 闪存,而且是 96-Layer 3D TLC 闪存,按常理两家推出的产品步伐都大致相约。

Western Digital EU511 闪存支持 UFS 3.0 Gear 4/2 Lane 规范,而 UFS 3.0 单通道双向频宽为 11.6 Gbps,因此双通道的理论最高值就是 23.2 Gbps,约为 2.9GB/s。

容量方面,iNAND EU511 最低提供 64 GB,最高可达 512 GB,而且凭借自家的 Smart SLC Generation 6 技术,提供最高 750MBps 的 Turbo 写入速度,较现行技术提升 75% 随机读取与 25% 随机写入,同时符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。而目前 Western Digital iNAND EU511 闪存已经开始给OEM客户出样。

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