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【存储器】近700亿元,这家存储器厂商拟建设12英寸先进晶圆厂

来源:科技新报       

4月20日,南亚科正式宣布,规划于新北市泰山南林科技园区兴建一座双层无尘室12寸先进晶圆厂。

根据南亚科新闻稿,此座厂房总投资金额约为新台币3,000亿元(约合人民币696亿元),将采用南亚科自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片,及规划建置EUV极紫外光微影生产技术,月产能约为45,000片晶圆。

此座先进晶圆厂,预估以7年分3阶段投资,计划于2021年底动工,2023年底完工,2024年开始第一阶段量产。预期届时可直接提供2,000个优质工作机会,并间接创造产业链数千个就业机会。

南亚科董事长吴嘉昭表示,DRAM是所有电子产品智能化的关键元件,是半导体产业极为重要的一环。因应全球存储器市场成长趋势,此次南亚科投资兴建先进晶圆厂,提升竞争力,让南亚科技不仅是台湾地区的DRAM领导者,更是全球关键存储器供应商。

南亚科总经理李培瑛表示,2020年成功开发出10纳米级DRAM记忆胞技术,并规划2021年导入量产,未来可生产DDR5,LPDDR5及16Gb高容量等DRAM产品,以因应未来5G与智慧世代的发展。

李培瑛进一步表示,目前DRAM的需求在5G、IoT、消费性电子市场的带动下,需求持续成长中。虽然市场报价与供需状况会有所起伏,但都不影响长时间成长的大趋势,使得扩产的作法并不担心会有供过于求的风险。而如此,虽然不会快速提升南亚科的市占率,却也不会让市占率有所下滑。

李培瑛进一步表示,新厂的兴建,届时预计从第2代10纳米级的DRAM制程开始导入,首阶段预计会有15,000片的月产能。而在3阶段完成建设之后,将为南亚科增加45,000片的月产能。这数量虽然相较目前每月70,000片的产能较少,但因为制程的提升,颗粒产能数量将会较为提升。另外,在新厂中南亚科也规划建置EUV极紫外光微影生产技术,也有相关的技术研发中心。至于,最终什么制程导入,或是什么产品导入,还须视市场需求做决定。

封面图片来源:拍信网