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【存储器】美光发招,存储器技术是否已领先三星?

来源:科技新报       

美光近日正式量产1α制程LPDDR4x DRAM,并正向AMD和Acer供应1α制程DRAM,还宣布开始量产176层堆栈NAND Flash快闪存储器,震撼DRAM市占率领先全球的韩国业界。

据韩国媒体《KoreaBusiness》报道,美光1α制程DRAM相当于韩国三星14纳米制程DRAM。目前美光是世界第一家量产14纳米制程DRAM的公司。2020年11月美光宣布开始量产176层堆栈NAND Flash快闪存储器后,美光不论DRAM还是NAND Flash快闪存储器生产技术都超越韩国公司。

韩国一位市场人士表示,由于核心制程技术不同,很难直接将美光技术与三星和SK 海力士技术比较,令人惊讶的是,美光在没有极紫外线曝光设备 (EUV) 辅助下,缩小了与两家韩国存储器大厂的差距。

现阶段三星尚未开始量产176层堆栈的NAND Flash快闪存储器。三星表示,2021下半年可量产176层堆栈NAND Flash快闪存储器。但市场人士认为,量产时间实际上会到2021年底。预计三星量产14纳米制程DRAM的时间也会2021年底开始。

韩国半导体产业非常关注美光不使用EUV曝光设备成功开发出14纳米制程DRAM,因这是半导体制程微缩的关键。

市场人士也强调,因ASML的EUV曝光设备每部造价高达1.5 亿美元,生产的存储器会有较高成本。但美光采用DUV曝光设备就能生产存储器产品,产品成本竞争力将更具优势。

仍有韩国专家强调,美光1α制程DRAM和176层堆栈NAND Flash快闪存储器尚未与三星等存储器厂商产品比较是否有相同性能,美光能对两家韩国厂商造成多大威胁,有待观察。

封面图片来源:拍信网