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【存储器】200层以上!三星第八代V-NAND闪存要来了?

来源:全球闪存市场       

6月8日韩媒消息,三星执行副总裁兼闪存负责人Jaihyuk Song介绍了三星闪存芯片业务最新进展。

Jaihyuk Song透露,三星正积极推动第七代V-NAND闪存芯片(176层)的应用,并计划在今年下半年推出一款基于第七代V-NAND闪存芯片的消费类SSD。

据悉,三星第七代V-NAND闪存芯片拥有业界迄今为止最小的单元尺寸,三星还计划将第七代V-NAND闪存芯片的应用扩展至数据中心SSD领域。

除此之外,Jaihyuk Song还表示,三星已经获得了具有200层以上的第八代V-NAND解决方案的工作芯片,并计划根据消费者的需求将其推向市场。

媒体透露,三星目前正在平泽的新工厂(2号厂)测试第七代176层V-NAND闪存的生产线。生产量为每月10,000张12英寸晶圆。预计在2021年下半年这条生产线投产后,将立即开始为第八代V-NAND闪存的大规模生产做准备。 

封面图片来源:拍信网