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外媒:三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存

来源:全球闪存市场       

据businesskorea报道,三星电子将在2022年底推出200层以上的第8代NAND闪存。

businesskorea引述业内人士预测,三星将在128层的单片存储器上叠加96层,推出224层的NAND闪存。与上一代176层NAND产品相比,224层NAND闪存可以将生产效率和数据传输速度将提高30%。

businesskorea报道称,三星电子原计划在2021年末开始量产176层NAND,但考虑到市场情况,推迟到2022年第一季度。据悉,美国美光已经开始量产176层NAND,业内人士预测,三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐,以夺回技术领先地位。

报道称,美光有望加速200多款NAND芯片的开发。随着美光于2021年底在全球首次量产176层NAND闪存,业内观察人士认为,该公司拥有量产超高密度NAND闪存的专有技术。

封面图片来源:拍信网